本文研制的硅脉象传感器是在硅杯的方形硅膜上采用MEMS技术制作四个P-MOSFETs沟道等效电阻组成惠斯通电桥,令两个P-MOSFETs沟道等效电阻置于硅敏感膜边缘的径向位置,而另外两个置于横向位置。当脉象传感器接通电源后,对硅敏感膜施加压力,电桥中两个径向的P-MOSFETs沟道等效电阻阻值增大,两个横向P-MOSFETs沟道等效电阻阻值减小,致使桥路失去平衡,产生了端电压输出,从而实现了对微小的脉搏信号的采集。本课题介绍了国内外脉象传感器研究概况,详细阐述了硅脉象传感器的工作原理、结构设计及制造工艺,对实验研制的硅脉象传感器的I-V特性、温度特性进行了实验测试和静态特性分析。实验结果表明,研制的硅脉象传感器灵敏度为162.26mV/100KPa,线性度为±2.01%,迟滞为±0.181%,重复性为±0.21%,准确度是2.029%,符合设计要求。本课题采用P-MOSFET沟道等效电阻做压敏电阻的结构研制硅脉象传感器,这种结构有以下优点:测量信号稳定,温度特性较好,灵敏度较高,传感器的稳定性增强了,传感器的噪声降低了,而且能够客观地、准确地采集到微小的脉搏信号。基于MEMS技术制作的硅脉象传感器的制作工艺与集成电路工艺相兼容,有广泛的应用前景。