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多晶硅薄膜具有单晶硅材料较高电迁移率和稳定的光电性能等特性又与非晶硅薄膜一样可大面积低成本制备，因此在薄膜晶体管、微电子集成电路以及薄膜太阳能电池等方面都有广泛应用。多晶硅薄膜的制备方法很多，主要有化学气相沉积法、激光结晶法、金属诱导晶化法等。其中，金属诱导晶化法可采用廉价衬底而且晶化温度较低，非晶硅完全晶化所需时间较短，是制备多晶硅薄膜的一种重要方法。 铝诱导非晶硅薄膜固相晶化已经有了相当多的研究，本论文在这些研究的基础上，提出了铝诱导非晶硅薄膜的场致固相低温快速晶化这一