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进入21世纪以来,光纤传感技术逐步成为衡量一个国家信息化程度的重要因素。作为光纤传感系统中最理想的光源,超辐射发光二极管的性能直接决定着系统的精度和稳定性。为了推动国产光纤传感系统的开发和应用,掌握高精度传感技术,必须研制高性能超辐射发光二极管器件,特别是1.3 μm波段的超辐射发光二极管。本论文主要研究了 1.3μm波段超辐射发光二极管的制备和关键特性,整个研究过程可分为四个阶段:第一阶段,器件工艺准备及优化;第二阶段,制备宽接触激光器;第三阶段,制备窄条形激光器;第四阶段,制备超辐射发光二极管。论文各阶段工作成果如下:1、利用实验室现有设备,开展了超辐射发光二级管整个工艺流程（外延片清洗、光刻腐蚀、沉积SiO2、溅射金属电极、减薄等）的研究工作,并重点优化了脊形波导湿法腐蚀工艺。我们使用HBr:HCl（1.5:1）腐蚀液代替传统的H3PO4:HCl（3:1）腐蚀液,缓解了湿法腐蚀InP波导时容易出现侧蚀的问题。2、首次在本实验室成功制备出了 1.3μm波段InGaAsP多量子阱宽接触激光器,从而验证了在本实验室制备超辐射发光二极管的可行性。宽接触激光器脊宽100μm,腔长500μm,有源区由六周期无应变InGaAsP量子阱组成,其在约8 ℃并焊有热沉的条件下实现了连续激射,阈值电流为240 mA,阈值电流密度为480 A/cm2,当注入电流为350 mA时,激射波长为1297.7 nm,半高宽为0.02 nm;在室温（25 ℃）没有热沉的条件下实现脉冲激射,阈值电流为400 mA,阈值电流密度为800 A/cm2,当脉冲电流为700 mA时,激射波长为1304.6 nm,半高宽为 0.16 nm。3、设计了有源区由张压应变交替的InGaAsP多量子阱组成的超辐射发光二极管外延片结构,联系外单位完成了该外延片的MOCVD生长;参与制备了 1.3μ m波段窄条形激光器,从而证明了该外延片生长质量良好并能够用于超辐射发光二极管的探索制备。窄条形激光器脊宽16 μm,腔长500μm,其在约10 ℃且无热沉条件下实现了连续激射,阈值电流为165 mA,阈值电流密度为2.06kA/cm2;当注入电流为250 mA时,激射波长为1319.3 nm,半高宽为0.04 nm。4、利用上述张压应变交替的InGaAsP多量子阱超辐射发光二极管外延片,设计并制备了具有倾斜、弯曲等波导结构的1.3 μm波段超辐射发光二极管,并在脉冲条件下测得:倾斜波导超辐射发光二极管的PI曲线没有明显拐点。随后我们将继续开展对器件光谱的测试工作,并进一步改善工艺条件。