半导体固体照明技术是全世界当前绿色照明和材料领域的研究前沿。其基本思路之一是以近紫外或蓝光发光二极管（LEDs）为芯片，结合合适的荧光转换材料来实现白光输出。本研究针对近紫外LED荧光转换材料的要求，采用荧光光谱，热释光谱，X射线光电子能谱，X射线衍射（XRD）等分析手段，重点研究ZnO绿色荧光粉和Eu²⁺激活铝酸锶绿色长余辉荧光材料的合成，或提高发光效率和稳定性的新方法及其相关机制。 并在以下几方面取得了一些进展： [1]将ZnS与一定量的卤化物MX（X=F，Cl，Br，I；M=Na，K，NH₄，Zn，ZrO）一起煅烧合成出发光性能优良的、具有六方纤维锌矿结构的ZnO绿色荧光粉。证明了卤化物的助熔和掺杂双重功能，提出了在较低温度（700-800℃）下合成高效绿色荧光粉的基本方法。 [2]该类荧光粉中S和卤素（如Cl）的含量分别在0.6-2％和3-4％范围，可看成是S，Cl共掺杂的ZnO荧光粉。紫外可见吸收光谱证明S和Cl的掺杂可以降低ZnO的带-带吸收强度，并在3.06ev（399nm）出现新的吸收峰。其发射光谱的峰值波长为506-510nm，未观察到380nm的激子发射，而激发光谱由370nm以下和378-397nm的两个吸收发射带组成，分别对应于电子从从价带到导带和价带到禁带中局域缺陷中心的跃迁。后一吸收带与紫光二极管（NULED）的光输出波长（370-400nm）相匹配，可望应用于白光二极管。 [3]不同卤素离子对ZnO荧光增强作用的大小次序为Cl＞F＞Br＞I。这与它们的离子半径与S^2-和O^2-离子半径的匹配程度相关。由于Cl^-与S^2-离子的半径非常接近，Cl^-很容易参与O对S的取代过程，形成由氯离子占居的氧空位，导致负电荷不足，为促使Zn²⁺被还原，产生还原态Zn空位创造了条件。 [4]不同阳离子对ZnO的荧光增强作用与煅烧温度相关。Na⁺，K⁺对提高带-带吸收效果明显，所以在较低温度600-700℃下的作用更好，而NH₄⁺对价带-禁带中局域缺陷中心的跃迁贡献较大，在较高温度下仍有很好的增强作用。ZnCl₂和ZrOCl₂也被证明是具有双重作用的添加剂，而ZrO₂和KH₂PO₄对于ZnO荧光