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SiC材料作为新一代宽禁带半导体的重要代表,由于其宽禁带、高击穿电场、高热导率、高功率密度等自身优势,以及可直接由热氧化工艺生长Si02的特点,被应用于高温、高功率等场合。SiC已经成为下一代极有可能取代广泛应用Si材料的一种重要宽禁带半导体,因此研究SiC材料相关工艺具有重要意义。目前,阻碍SiC材料发展的一个主要问题是SiC/SiO2界面特性远不如Si/SiO2界面特性,从而影响了SiC基器件的特性。目前,国内对于SiC材料的研究尚且不够。本论文,采用SRIM仿真、工艺实验、测试表征手段相结合的研究方法,探究了氧化前矿注入对于4H-SiC MOS系统界面特征的影响。本文旨在研究氧化前N+注入改善4H-SiC SiC/SiO2 MOS系统界面态特性,并探究了N+注入工艺条件对于氧化层厚度、平带电压以及界面态密度的影响。氧化前向4H-SiC材料外延层中注入N+,掺入的N元素在氧化过程中会重新分布并在界面处积累,积累在界面处的N原子会和Si原子形成Si-N/N-O键,打破Sil_XCXO2的中间态,减缓界面应力,达到氮化和除碳的效果,进而改善了界面态。实验基于现有成熟的工艺制作了4组样品：直接湿氧氧化、退火；氧化前向SiC外延层中以15 KeV注入剂量为2x1012 cm-2的N+,然后湿氧氧化和退火；氧化前向SiC外延层中以15 KeV注入剂量为1.5×1013 cm-2的N+,然后湿氧氧化和退火；SiC外延层中以5 KeV注入剂量为1x1015 cm-2的N+,然后湿氧氧化和退火。然后,利用AFM形貌测试、椭偏测试氧化层厚度、汞探针C-V测试的表征手段来分析实验结果。结果表明,1)当离子注入的能量相同时,注入剂量越大,AFM测试得到的表面粗糙度越大,对于样品表面的损伤越大；2)离子注入的能量相同时,较高的注入剂量使得4H-SiC外延层中掺入的N浓度相应增大,增大了氧化速率,对应的氧化层越厚；3)利用了高频Terman方法计算了各个样品的界面态密度,离子注入使得N分布为外延层低浓度、界面高浓度工艺可以有效地减少4H-SiC MOS界面系统的界面态,实验结果显示MOS的界面态密度降低到1×1011cm-2V-1数量级,且对应的剂量越大,此工艺改善界面态的效果越明显,但对应的平带电压会向负方向漂移量也越大；4)离子注入使得N分布为外延层高浓度、界面低浓度的工艺可以轻微地改善界面态,但是效果不如离子注入使得N分布为外延层低浓度、界面高浓度的工艺,且其对平带电压的影响反之。在一定程度上,本实验说明在SiC/SiO2界面附近的N是减小界面态密度的关键。