【摘 要】
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ZnO纳米结构具有独特的物理化学性质,是制备半导体光电器件的重要材料。本论文围绕ZnO纳米结构的制备及其表面调控开展了如下研究工作:采用原子层沉积法(ALD)于衬底上生长ZnO
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ZnO纳米结构具有独特的物理化学性质,是制备半导体光电器件的重要材料。本论文围绕ZnO纳米结构的制备及其表面调控开展了如下研究工作:采用原子层沉积法(ALD)于衬底上生长ZnO薄膜层作为籽晶层;再利用水热法制备出具有六方纤锌矿结构且沿c轴取向的高质量ZnO纳米线阵列,并获得了高效紫外发光。通过两步法引入S元素对ZnO纳米线进行表面修饰改性,获得ZnO/ZnS核壳结构的纳米线;ZnO/ZnS纳米线的近带边紫外发光强度显著增强,达到原生ZnO纳米线的2.5倍,同时伴随着样品可见区(深能级)的发射带几乎被完全淬灭。探究退火工艺处理对ZnO/ZnS纳米线发光特性的影响;获得了ZnO/ZnS纳米线的最佳处理条件为在250℃的退火温度下退火处理30s,相应的紫外发射强度约为原生ZnO纳米线的7倍。
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