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分别以低温（4℃）弱光(100μmol·m-2·s-1)和根部低温（4℃）、地上部常温（25℃）、弱光(100μmol·m-2·s-1)处理黄瓜嫁接苗和黄瓜自根苗,并在第0、2、4、6和8h测定叶绿素荧光参数、PSⅠ的820nm光吸收和RuBPCase的活性等生理指标。目的是了解低温弱光胁迫对黄瓜的光抑制机理。主要结果如下。1低温弱光胁迫对黄瓜的光抑制低温弱光胁迫下,黄瓜嫁接苗和黄瓜自根苗的Fv/Fm、Fo、φPSⅡ、ETR、Fv′/Fm′、qP等荧光参数都随着胁迫时间的延长而逐渐下降,而NPQ却逐渐升高。这表明低温弱光胁迫下黄瓜的PSⅡ反应中心发生了光抑制。至胁迫8h时,黄瓜嫁接苗的Fv/Fm、φPSⅡ、ETR、qP等明显高于黄瓜自根苗（P<0.05）,说明黄瓜嫁接苗的PSⅡ比黄瓜自根苗有较强的抗低温弱光能力。随着胁迫时间的延长,黄瓜嫁接苗、黄瓜自根苗的氧化态P700都降低,说明低温弱光胁迫对二者的PSⅠ都有抑制作用。各处理期间黄瓜嫁接苗和黄瓜自根苗都有显著的差异（P<0.05）。说明黄瓜自根苗的PSⅠ比黄瓜嫁接苗对低温弱光更敏感。RuBPCase随胁迫时间的延长均呈下降趋势,说明低温弱光处理抑制了RuBPCase的活性。处理期间黄瓜嫁接苗明显高于黄瓜自根苗,差异极显著（P<0.01）,说明黄瓜嫁接苗RuBPCase也较黄瓜自根苗对低温弱光有较高的抗性。低温弱光处理下,随着胁迫时间的延长,黄瓜嫁接苗、黄瓜自根苗的SOD活性先升高又降低。胁迫结束时,黄瓜嫁接苗SOD活性明显高于黄瓜自根苗（P<0.05）。由此可见,保护酶活性的增强也是黄瓜嫁接苗比黄瓜自根苗更耐低温弱光的原因之一。总之,低温弱光胁迫下PSⅡ反应中心的活性降低（Fv/Fm）,PSⅡ的电子传递受阻（φPSⅡ）,但并未破坏PSⅡ作用中心（Fo）。同时也对黄瓜的PSⅠ产生光抑制作用,RuBPCase活性的降低,说明光合暗反应也受到影响。胁迫结束时,黄瓜嫁接苗Fv/Fm、氧化态P700活性、RuBPCase活性与胁迫前相比分别下降了15.2%、37.3%、63.6%,这说明碳同化在低温弱光胁迫下受到的影响最大。2根部低温弱光胁迫对黄瓜的光抑制根部低温弱光胁迫下,Fv/Fm、Fv′/Fm′、氧化态P700在胁迫初期（2h）无明显变化,而φPSⅡ、ETR、qP却明显升高,说明胁迫初期对黄瓜并没有产生抑制作用,这可能是因为根部低温胁迫初期并没有影响到地上部,地上部处于常温下。随着胁迫时间的延长,Fv/Fm、φPSⅡ、ETR、qP、氧化态P700都呈下降趋势,说明胁迫对黄瓜的PSⅡ、PSⅠ都产生了抑制作用,这可能是因为根部低温限制了根系对水分的吸收,从而导致运输速率的减慢,叶片光合作用所需的矿物质不能及时运输上来,进一步抑制光合作用。至胁迫结束时,黄瓜嫁接苗的Fv/Fm、φPSⅡ、ETR、qP、氧化态P700明显高于黄瓜自根苗,差异显著（P<0.05）,说明黄瓜嫁接苗较黄瓜自根苗对根部低温弱光有较高的抗性。总之,根部低温弱光胁迫初期（2h）对黄瓜并没有产生抑制作用,随着胁迫时间的延长,对黄瓜的PSⅡ、PSⅠ都产生了抑制作用。至胁迫结束时,黄瓜嫁接苗Fv/Fm、氧化态P700活性与胁迫前相比分别下降了15.1%、30%,说明根部低温弱光胁迫下PSⅠ受到的影响较大。