【摘 要】
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电化学刻蚀硅微通道技术已经被广泛关注,但是电化学刻蚀硅微通道过程中的输运特性却鲜有报道,然而硅片中载流子的输运,硅/HF界面电荷的输运以及溶液中物质的输运直接影响微通
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电化学刻蚀硅微通道技术已经被广泛关注,但是电化学刻蚀硅微通道过程中的输运特性却鲜有报道,然而硅片中载流子的输运,硅/HF界面电荷的输运以及溶液中物质的输运直接影响微通道结构的刻蚀结果。本论文从硅的基本性质出发,结合半导体能带理论以及电荷传递理论阐述了电化学刻蚀硅微通道过程中的输运原理；以n-型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,找出硅片中载流子的最佳激发波长为850nm,以磷离子注入工艺制备的欧姆接触层能产生更多的光生空穴,有利于腐蚀进行；以微通道几何结构建立模型,模拟微通道尖端结构对载流子的收集情况,发现载流子在尖端聚集,侧壁被钝化保护,使通道沿尖端方向生长；讨论硅/HF界面电荷输运及迁移和扩散引起的物质输运,以及两种类型输运的临界情况,通过改变电压,溶液浓度等实验参数,分析不同工艺条件对输运特性的影响。
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