半导体垂直腔面发射量子阱激光器是当前光电子学领域最活跃的研究课题之一。它与边发射激光器相比具有更优越的特性，例如，具有极低的阈值、较小的远场发散角、调制频率高、易实现单纵模工作、易实现二维集成等，所以，它被广泛地用于光纤通讯、光信息处理、激光打印、光传感等领域。 本文建立了一个直接耦合的准三维模型，通过该模型对垂直腔面发射量子阱激光器的等势线分布、注入有源区的电流密度分布、有源区中的载流子浓度分布、光场强度分布等特性进行分析，对激光器的这些相互关联的特性进行数值计算，并研究了这些特性之间的相互影响。 具体工作可以概括如下：从求解泊松方程、载流子扩散方程和光场方程的自洽解入手，首先，计算出激光器中的等势线分布，从而得到注入有源区的电流密度分布、有源区中载流子浓度分布。其次，研究了N型DBR层、高阻区的不同位置和不同厚度、限制层和出射窗口半径的大小及比值的不同对电流密度分布和载流子浓度分布的影响，并给出了双氧化限制层激光器中的等势线分布。最后，实现了光电耦合，并给出了阈值附近光场分布。计算结果表明，我们的理论计算结果与文献所给出的及实际情况相符。