低驱动电压的RF MEMS开关的设计与模拟

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RF MEMS开关与传统的半导体开关相比,具有低的插入损耗和能量损耗、好的隔离度、更高的能量处理能力等优点。可广泛应用于防御和通讯系统的天线和可调放大器,卫星通讯系统的开关网络。 低驱动电压的MEMS开关设计与模拟是本课题研究的主要内容。对电压加在不同区域的两端固定梁的弹性系数进行推导,以确定所设计的开关电压是加在两端固定梁的两端,并提出一种MEMS开关的结构。然后对这种结构的开关建立模型,针对不同的开关参数进行静电耦合分析,设计出驱动电压为9V的电阻式MEMS开关。 根据弹性力学中的最小势能原理建立膜式开关的力学模型,并提出六种不同结构的膜式开关。然后对这六种结构的开关的弹性系数和驱动电压作理论上的计算,再用ANSYS软件对这六种开关进行静电耦合分析和模态分析。结果表明有四个支撑脚的两端固定开关的驱动电压比其它五种开关的驱动电压低、共振频率高,所以这种开关是比较理想的。再对开关的形状作进一步的改进,加不同的电压,对这种改进后的开关进行多次的静电耦合分析和模态分析,设计出驱动电压为7V,共振频率为5.8kHz的电容式MEMS开关。 根据气体分子运动论和牛顿运动定律,对MEMS开关的阻力进行估算,阻力为1.44×10-6N,静电力为1.66×10-5N,阻力仅占静电力的8.7%,可忽略下计。 本项目的研究将为MEMS射频开关的结构设计和力学分析提供很好的理论基础和模拟结果,通过对MEMS射频开关的结构设计和性能模拟,选择合适的开关结构,在此基础上设计相关的工艺,为射频开关的制作和性能测试奠定基础。
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