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本论文从目前光电探测器件中受到广泛关注的Cu_2O薄膜材料入手,针对Cu_2O材料采用传统制备技术,容易在制备过程中产生Cu O相杂质,结晶质量较差,空穴浓度较低,难以满足光电探测器的高响应度等问题,本文研究了制备Cu_2O的新型方法-原子层沉积法,并且研究了该方法制备的Cu_2O薄膜的晶体质量、表面粗糙度、光学及电学等各方面的性质。并在此基础上实现了对Cu_2O薄膜的N掺杂处理,对掺杂前后Cu_2O薄膜的各项性质的变化进行了对比与分析。本论文的研究内容主要包括以下两部分:(1)通过改变生长室温度、