【摘 要】
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太赫兹（THz）波由于其特有的电磁特性已经成为各国竞相研发的热点,然而高效廉价的THz功能器件的不足限制了THz技术进一步的发展。由于一维纳米材料具有良好的的光学各向异性,近年来基于一维纳米材料阵列的THz调控器件得到了广泛的研究并取得了一些成果,但是在规模化制备和性能方面仍然面临着一些困难与挑战。Ni纳米线具有良好的磁学特性,在溶剂中能够被外磁场精确控制从而制备出大面积的、厚度可控的有序纳米线阵
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太赫兹（THz）波由于其特有的电磁特性已经成为各国竞相研发的热点,然而高效廉价的THz功能器件的不足限制了THz技术进一步的发展。由于一维纳米材料具有良好的的光学各向异性,近年来基于一维纳米材料阵列的THz调控器件得到了广泛的研究并取得了一些成果,但是在规模化制备和性能方面仍然面临着一些困难与挑战。Ni纳米线具有良好的磁学特性,在溶剂中能够被外磁场精确控制从而制备出大面积的、厚度可控的有序纳米线阵列。因此,Ni纳米线在THz调控器件的应用方面有着巨大的潜力。本文通过化学还原法合成出了Ni纳米线,然后在溶剂中利用磁场辅助的方式制备出了有序阵列并对其性能进行了测试分析。主要研究成果如下:（1）实现了Ni纳米线阵列的厚度调控。研究发现随着阵列厚度的增加器件的偏振度和消光比也随之增加;（2）提高了器件的偏振性能。研究发现三层Ni纳米线阵列偏振器在0.3-2.3THz光谱范围内具有99.9%的偏振度和46.6 d B的消光比,远高于单层Ni纳米线阵列样品;（3）证明了Ni纳米线阵列偏振器高温稳定性。偏振器在250℃退火处理1 h后器件依然保持较好的偏振性能;（4）制备了Ge薄膜/Ni纳米线有序阵列复合结构。测试结果表明,复合结构具有超快的光响应速度,其响应时间和恢复时间分别低于1.6 ps和3 ps。这与文献报道的Ga As纳米线阵列和碳纳米管阵列的性能相类似。
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