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传统的透明导电薄膜在可见区具有较高的透过率,并兼具优良的导电性,已应用于平板液晶显示器、触摸屏、太阳能电池等领域。但传统透明导电薄膜由于带隙宽度的限制(一般小于4eV),其难以透过波长小于300nm的深紫外光。目前,Si或者Sn掺杂(3-Ga2O3薄膜具备深紫外透明导电性,然而材料的禁带宽度越大,将其掺杂成为导电材料的困难也越大,所以具有优良导电特性的单层Ga203基深紫外透明导电薄膜也较难制备。为此,研制性能优良的新型深紫外透明导电薄膜是光电器件研究领域中的热点问题。本文利用射频磁控溅射技术,以高纯Mg为靶材,以高纯氩气、氧气为溅射气体,在蓝宝石衬底上制备了MgO/Mg/MgO多层结构深紫外透明导电薄膜。利用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、霍尔测试仪等测试手段,对单层金属Mg膜和MgO/Mg/MgO多层结构的光学和电学特性进行了研究。主要工作为：(1)利用射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上分别制备了厚度为3nm、5nm、7nm和9nnm的Mg膜。Mg膜的电阻率随着厚度的增加而减小,当厚度由3nm增加到5nm时,Mg膜的电阻率由104.9Ω/□显著降低到30.11Ω/□,当膜厚继续增加时,Mg膜电阻率下降的不再明显。同时,随着厚度的增加,同一波长的透射率逐渐降低。当Mg薄膜厚度为5nm时,其导电性和透光性达到最佳配比,此时方块电阻为30.11Ω/□,在300nm波长处的透射率为82.6%。(2)利用射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上制备了MgO/Mg/MgO多层结构深紫外透明导电薄膜,金属Mg层厚度为5nm,MgO层厚度为40nm。MgO/Mg/MgO多层结构的透射曲线与Mg单层膜的透射曲线变化趋势基本一致,即沿短波长方向逐渐升高。所制备的MgO/Mg/MgO透明导电薄膜具有较好的光电性能,方块电阻为57.35Ω/□,在200nm-300nm深紫外波段范围内,多层结构的透射率大于85%。(3)将上述条件下制备的MgO/Mg/MgO多层结构深紫外透明导电薄膜在氮气氛围下进行退火处理,退火温度分别为200℃、300℃、400℃、500℃。400℃及以下退火的样品,相较于未退火的样品,其方块电阻均减小；同为退火样品,其方块电阻随退火温度的升高而增大。500℃退火后的样品呈高阻特性。在200-300nm深紫外波段范围,MgO/Mg/MgO多层结构的透射率随退火温度的升高而降低,且均小于未退火的样品。200℃退火后薄膜具有最佳的光电特性,此时方块电阻为31.78Ω/□,300nm处的透射率为80%。