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硒化镉（CdSe）和硫化镉（CdS）是重要的Ⅱ–Ⅵ族直接带系半导体，其一维纳米结构是电子、光电子器件的重要构建单元。本征CdSe纳米结构具有极高的电阻率，因此严重影响了其应用。本文通过掺杂调控CdSe纳米带的电子传输和光电性能。此外，本文还探索了CdS微纳结构的制备方法。利用热蒸发法制备了Bi掺杂的CdSe纳米带（Bi: CdSe）和Cl掺杂的CdSe纳米带（Cl：CdSe），通过XRD、SEM、TEM、EDS、Raman和XPS等手段表征了纳米带的形貌、结构、组分和价态。结果表明，所合成的