RGO近红外宽光谱探测特性研究

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还原氧化石墨烯(Reduced Graphene Oxide,RGO)是目前大面积大批量制备石墨烯的方法之一,该方法制备的石墨烯不仅在电学和光学性能上有出色表现,还可以对石墨烯官能化调控,因此其在光电探测领域被广泛关注。本文以制备RGO宽光谱探测器件为目标,对RGO结构变化、器件设计与制备和器件性能优化等方面进行研究,主要研究结果如下:(1)RGO结构变化规律:本文通过Hummers法制备氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO),通过溶胶-凝胶法制备GO薄膜,对薄膜进行高温退火处理还原得到RGO,通过热重分析、X-ray diffraction分析(XRD)、傅里叶红外光谱分析等分析方法对材料结构进行表征,对比不同还原温度下RGO中含氧官能团变化情况,利用Tauc Plot法对RGO还原过程中带隙进行计算,得到RGO带隙从1.9e V至0.9e V的非线性变化规律,带隙变化原因由还原过程中不同含氧官能团在特定的温度区间脱离所导致。(2)n-Si/RGO半导体异质结光电探测器件的设计与制备:本文设计并制备了含有Si O2绝缘层的异质结型光电探测器件,所制备的器件表现出良好整流特性,对比不同还原温度下器件的性能,器件光谱响应范围可达450nm-1310nm,最大开关比大于1900,峰值响应度为0.12A/W,探测率达到1010Jones数量级。退火处理的温度升高可以有效提升器件的光谱响应范围和探测能力,与带隙变化规律吻合。(3)器件性能改进:本文主要研究了不同溶液浓度和不同衬底材料对器件性能的影响,制备了不同溶液浓度的和不同衬底材料的探测器件,高浓度溶液可以有效增加器件对光的吸收率,提高薄膜性能从而使得器件性能提升。设计并制备了由n-Ge与RGO构成的异质结型光电探测器件,由于n-Ge与RGO异质结中光生载流子不与内建电场复合,器件性能显著提升,光谱响应范围可达2200nm。本文通过研究获得了RGO中含氧基团受退火温度调谐并导致带隙变化的规律,制备了不同基底材料的RGO异质结光电探测器件,从器件层面证实了带隙变化规律,并对器件性能进行改进,研究了不同器件的响应机制,为RGO光电探测器的研究提供了一定思路。
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