在低维度的量子自旋系统中会出现磁有序、磁无序及各种临界状态,这些体系中量子效应明显,常常具有很强的量子涨落,这使得体系中会出现复杂的性质,如自旋准长程序、自旋能隙、自旋液体相和量子有序到无序的奇异转变等现象。而在含阻挫的量子自旋系统中磁性阻挫与量子涨落共同存在,这就使得体系的热力学性质更加复杂。近年来人们在准一维、二维的边共享的铜氧化物中发现了这种磁性阻挫与量子涨落共同存在的现象,并对这类物质进行了很多相关的理论和实验的研究,但如何解释其基态和激发态性质和定量的计算内部磁性相互作用的大小依旧给人们带来挑战。在本论文中,我们主要研究了Na掺杂对LiCu2O2单晶磁性的影响。我们通过自助溶剂法制备了Li1-xNaxCu2O2(x=0,0.05,0.1,0.2)单晶,通过测量其c方向的磁化率对其低温热力学性质进行研究和探索,发现LiCu2O2中存在着磁性阻挫与量子涨落相互竞争的情况。Na的掺杂在母体中引入无序,使其基态性质更加复杂;根据Heisenberg交换作用原理我们对Li1-xNaxCu2O2单晶磁性进行了定性的解释,并运用拟合公式对其磁化率结果进行了拟合,得到具体的相互作用参数。第一章我们主要简述了磁性的基本理论、量子自旋系统的历史以及Heisenberg交换作用原理,紧接着阐述了量子自旋系统中阻挫的来源以及铜氧化物中磁性阻挫的来源,最后详细介绍了几种典型的含阻挫Heisenberg量子模型。第二章介绍了表征磁性体的主要手段:磁化率和电子顺磁共振的测量,例举了几种典型磁体的磁化率测量结果,随后详细阐述了阻挫量子自旋系统的相图,最后介绍了一个用于拟合S=1/2阻挫量子自旋系统磁化率、磁比热实验结果的公式。第三章首先介绍了一种经典的单晶生长方法:自助溶剂法,并详细阐述了自助溶剂法生长单晶各种客观条件的选择,阐述了Li1-xNaxCu2O2(x=0,0.05,0.1,0.2)单晶的生长细节和样品质量的鉴定及结构的表征。第四章中我们主要研究了Na掺杂引起LiCu2O2单晶c方向磁化率的变化以及晶胞参数的变化。其主要目的就是为了研究该体系掺杂效应与磁转变温度、磁相互作用参数、阻挫因子以及晶格参数的变化之间的关系。我们通过Heisenberg交换作用原理对其基态性质进行了描述,根据拟合公式对其磁化率结果进行拟合。磁化率结果显示,由于磁性阻挫与量子涨落共同存在,不同掺杂量的单晶基态并是传统的螺旋磁有序,而是非公度的量子磁有序,自旋能隙没有完全形成;而且Na的掺杂在体系中引入无序,随着掺杂量的增加体系无序程度也明显增强。我们根据拟合公式得到随掺杂量x的增加,近邻相互作用J1、次近邻相互作用J2明显减小,计算得到的晶胞参数a,b,c逐渐增大,这表明磁性离子相互作用距离增大与磁性相互作用参数的减小密切相关。值得指出的是阻挫因子α并不随着掺杂量的变化而变化,这与磁化率结果中磁转变处对应的温度没有发生变化相对应,这一点直接的证实了阻挫因子是影响阻挫量子自旋系统性质的重要因素。