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近年来,ZnO和ZnS等宽禁带一维半导体纳米线的研究成为国际上的研究热点之一。ZnO和ZnS一维半导体纳米线具有宽直接带隙、高激子束缚能等性质,在紫外发光器件和光电探测器件等方面有良好的应用前景,在纳米激光器、生物传感器和光催化等领域也引起了广泛的关注。随着ZnO、ZnS等一维纳米材料的研究不断深入,但ZnO、ZnS纳米线及纳米阵列的可控制备问题依然没有得到解决。可控制备ZnO、ZnS一维纳米材料是其应用的基础,本文重点研究了沉积温度、气压、催化剂和衬底材料在学气相沉积法制备ZnO纳米线、纳米线阵列