CuAlO2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族间接禁带半导体,在可见光范围内透明,直接光学禁带宽度约为3.5eV,是最早发现的Cu基p型半导体。CuAlO2在光电领域有其独特的性能,具有十分广阔的应用空间和发展潜力。它的成功开发为实现半导体全透明光电器件,如透明二极管、透明晶体管提供了可能性,也推动了传统意义上透明导电氧化物(TCO)薄膜到透明氧化物半导体(TOS)薄膜的发展。本文采用射频磁控溅射法和PLD法在石英和单晶蓝宝石衬底上制备了CuAlO2薄膜,研究了CuAlO2薄膜的结构和光电性能,得到了以下结论：首先,由磁控溅射法直接生长出来的薄膜不是CuAlO2的晶体薄膜。我们通过对Cu-A1-O薄膜进行退火处理,成功获得了沿(001)晶面择优取向的CuAl02薄膜。退火后的薄膜在可见光区域的透过率达到了60%以上。其次,确定了退火参数后,我们系统的研究了磁控溅射的各参数对CuAl02薄膜的结构和光电性能的影响。研究发现衬底温度,溅射功率和溅射时间对薄膜有较大的影响。当衬底温度小于300℃,溅射功率大于200W,生长时间小于2小时,薄膜呈现了c轴取向,薄膜致密,表面平整；而当衬底温度大于400℃溅射功率小于120W,生长时间大于3小时,薄膜取向转变为(110)晶面取向,薄膜的晶体质量较差,表面存在微孔洞。最后对磁控溅射法和PLD法生长的CuAl02薄膜进行光致发光(PL)性质的研究,首次分析了PL谱中缺陷发光峰,铜空位(VCu)缺陷能级为0.82eV。