TiB₂-BN复相导电陶瓷具有优良的机加工性和方便的电性能可设计性等，其应用前景十分广阔。但还存在许多有待解决的问题：烧结比较困难、烧结体性能不稳定、不均匀等等。本文采用通电热压快速烧结技术进行了制备TiB₂-BN复相陶瓷的研究，从烧结过程的传热问题入手，运用计算、数值及实验相结合的方法，研究烧结过程中温度分布的均匀性问题；采用渗流理论及正交试验方法，优化烧结过程中的主要影响因素；分析并揭示TiB₂-BN复相导电陶瓷发生潮解的原因；在模拟工况条件下考察试样的热疲劳问题。 根据烧结初期升温速率突变的现象，从实验上确认烧结过程中电——热转换存在二种不同的机制，从而证实了烧结初期样品中产生了放电现象。烧结初期，满足一定的烧结条件下，温度场测量结果揭示：烧结初期的升温速率发生了突变，高效的能量转换证实了放电现象的存在，烧结初期的真空度、样品收缩测量结果也提供了佐证。烧结绝缘样品时，升温速率无突变，故样品烧结过程中不发生放电现象。 烧结中期，样品中的热能主要来自压头。数值计算结果表明，不论样品是导电的还是绝缘的，烧结过程中的热流方向与压力方向一致，热量由压头流向样品。不同样品烧结过程中温度分布不同，绝缘样品中形成封闭的环状等温线，导电样品中形成梯度等温线。径向的温度分布为：导电样品中呈单调分布，绝缘样品中呈波浪分布。 揭示了TiB₂-BN复相导电陶瓷的通电热压快速烧结末期存在大的温度梯度，并且温度梯度的大小与材料的电导率、热导率直接相关。烧结末期，本文推导了通电热压快速烧结中样品及模具内二维稳态温度分布，计算结果是：在样品的径向和轴向，温度都呈抛物线分布。重点分析了径向温度分布问题，样品内对称面上任一点与样品中心的温差为：ΔT=-q₁r²／4k₁。只要烧结样品为导电材料，样品和模具内温差的存在是不可避免的，且中心温度最高。不同的导电样品，由于导热系数差异及样品发热率不同，样品中存在的温差各异，但均不为零。只有当烧结样品为绝缘材料，样品发热率为零时，样品中才可能实现无温差。 烧结末期温度场的测量结果是：样品为TiB₂-BN复相导电陶瓷时，由于所需烧结温度较高，导热能力较低，导致样品中存在大的温度梯度，样品中心与样品边界的温差最高可达450℃（烧结温度1700℃，无保温措施）；当样品为金属Cu时，样品中温差较小，小于50℃（烧结温度900℃）；当样品为绝缘相BN时，样品中的温差随升温速率高低变化而变化，升温速率高（8℃／s）时，样品中温差大，可达220℃（烧结温度1300℃），升温速率较低（1.8℃／s）时，样品中温差小，小于50℃（烧结温度1100℃），样品中的温度分布完全取决于模具及压头的传热。实验结果与计算结果相吻合。 采用渗流理论解释了TIBZ碉N复相陶瓷的导电性能，确定了通电热压快速烧结型TIBZ－BN复相陶瓷符合渗流模型。采用通电热压快速烧结方法制备fiBZ－BN复相导电陶瓷，其电阻率与导电相fiBZ百分含量的关系符合渗流理论，其渗流模型为：PIP广4．785X10’Xcyc2．9)”’·的。说明快速烧结型iBz与BN复相陶瓷，hBZ颗粒无规则地分布在BN绝缘相中，且在TffiZ颗粒边界上不存在BN相的绝缘包裹层。 运用正交试验方法确定了影响烧结材料电性能的几个主要影响因素，其优化结果为：TIBZ配比大于29．2％（体积百分比入烧结助剂的添加量为 0．5％ （重量百分比），烧结温度约为1650’C。添加烧结助剂，既有效地促进了样品中导电网络的构成，又对llBZ－BN复相导电陶瓷的电阻率产生很大影响，而且TIBZ配比越接近渗流阀值，烧结助剂的影响越大。 通过分析TIBZ－BN复相导电陶瓷表面析出物及fiBZ粉和BN粉的氧化产物，揭示TIBZ－BN复相导电陶瓷中残留的氧化产物一一氧化硼是Tl32－BN复相导电陶瓷引起潮解的主要原因。复相陶瓷表面析出物是硼酸，作者认为TIB＊BN复相导电陶瓷在烧结过程中发生了氧化反应，并且在烧结体内残留了部分氧化硼，这是潮解的主要原因。TIBZ－BN复相导电陶瓷中存在开口气孔，是TIBZBN复相导电陶瓷潮解的诱因。样品放置于空气中，开口气孔中吸附水汽后，氧化硼溶解于水并生成硼酸，发生体积膨胀，导致样品破坏。根据TIBZ粉和BN粉高温氧化产物的不同。与fiBZ－BN复相陶瓷中生成的氧化物进行对比，可以确定TIBZEN复相陶瓷烧结过程中的氧化，主要发生在BN相。 热循环对TIBZ－BN复相导电陶瓷不断产生损伤。多次循环后，两相界面及导电网络均受影响，情况严重时试样破坏。样品电阻率与热震损伤量N中。之间的关系为： 优化烧结条件后获得的样品，在工况条件（120℃）下使用1200分钟“0个循环）仍旧完好，只是样品电阻率在每一次循环后略有增加。但在工况条件门500C)下经受11次循环u20分钟)样品就已无法使用。工作温度也是影响 TIBZ·BN复相导电陶瓷寿命的一个重要因素，需得到严格的控制。