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近年来，随着现代通信技术，如卫星通信、移动通信、全球卫星定位系统(GPS)、蓝牙技术以及无线局域网(WLAN)等的飞速发展，微波技术也向着毫米波和亚毫米波的方向发展。目前，低介电常数、高品质因数的微波介质陶瓷材料已经广泛应用于谐振器、滤波器与振荡器等微波器件。本论文以镓酸盐系陶瓷作为为研究对象，用固相法合成陶瓷材料，采用XRD，SEM，TEM，Raman，FT-IR，XPS等多种手段对陶瓷材料的物相组成，原子结构，微观结构进行分析，研究烧结温度，物相组成，材料微观结构，致密度及微波介电性能之间的相互影响和制约关系。(1)采用固相法合成尖晶石结构ZnGa2O4陶瓷，950℃得到纯相ZnGa2O4陶瓷。ZnGa2O4陶瓷1385℃下烧结，微波介电性能如下：r=10.4，Q×f=94,600GHz(13.345GHz)，τf=-27ppm/℃，与ZnAl2O4(1550℃：r=8.5，Q×f=56,300GHz，τf=-79ppm/℃)相比，ZnGa2O4陶瓷烧结温度较低，烧结范围较宽，相对介电常数，Q×f值增大，温度系数τf较小。当烧结温度高于1360℃时，陶瓷表面存在两种形貌，晶粒的生长遵循VLS机理。(2)采用固相法合成尖晶石MgGa2O4陶瓷，1185℃下得到纯相MgGa2O4陶瓷。烧结温度高于1335℃时，晶粒生长充分，结构均匀致密，晶界较为明显，存在取向生长，阳离子有序度随烧结温度升高而增大，这些都有利于改善其介电性能。MgGa2O4陶瓷1410℃烧结，微波介电性能如下：r=9.54，Q×f=117,000GHz (14.7GHz)，τf=-4.0ppm/℃，与MgAl2O4(1550℃：r=8.75，Q×f=68,900GHz，τf=-75ppm/℃)相比，MgGa2O4陶瓷烧结温度较低，烧结范围较宽，相对介电常数，Q×f值较大，温度系数接近于0。(3)采用固相法合成Mg(GaxAl1-x)2O4(x=0-1.0)，研究了不同Ga掺杂量和烧结温度对该体系陶瓷相对密度，微观结构及微波介电性能的影响。随着Ga掺杂量增加，Mg(GaxAl1-x)2O4的XRD衍射角，Raman光谱，FT-IR光谱均呈现规律性变化。测试结果表明，Mg(GaxAl1-x)2O4形成了固溶体。Mg(GaxAl1-x)2O4(x=0.6)固溶体1485℃下烧结，介电性能如下： r=8.87，Q×f=107,000GHz (测试频率：14.8GHz)， τf=-16ppm/℃。通过多种测试和表征手段对陶瓷材料的物相组成，原子结构和微观结构进行分析，考察了掺杂量，烧结温度对陶瓷材料致密度，物相组成、晶粒生长及介电性能的影响。