【摘 要】
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Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe)半导体由于其具有高光吸收系数、稳定性好、带隙可调、元素储量丰富的特点,受到了人们的广泛关注。目前用以组装太阳能电池已实现12.6%的光电转换效率。CZTSSe薄膜太阳能电池的制备方法主要包括真空法与非真空法,其中真空法包括:热蒸法、磁控溅射法,非真空法包括:分子前驱体溶液法、纳米晶溶液法、电沉积法等。但是真空法由于设备昂贵、操作复杂等特点,不利于工业
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Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe)半导体由于其具有高光吸收系数、稳定性好、带隙可调、元素储量丰富的特点,受到了人们的广泛关注。目前用以组装太阳能电池已实现12.6%的光电转换效率。CZTSSe薄膜太阳能电池的制备方法主要包括真空法与非真空法,其中真空法包括:热蒸法、磁控溅射法,非真空法包括:分子前驱体溶液法、纳米晶溶液法、电沉积法等。但是真空法由于设备昂贵、操作复杂等特点,不利于工业生产。而在非真空法中,分子前驱体溶液法由于其操作简单、设备低廉等特点而受到了人们的广泛关注。目前,CZT
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