本文主要针对北京工业大学功率半导体器件研究室提出的内透明集电极IGBT首次结合实际工艺进行了较全面的仿真研究,并对仿真结果反映出来的相关器件性能和物理现象进行了较深入的分析。内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)的结构特点是在传统的PT-IGBT的基础上,在集电结下几微米的位置设置一个高复合层,用以模仿透明集电极,使得器件在关断时实现对电子的“内透明”效果。在性能方面,ITC-IGBT具有低通态压降,高开关速度的特点,接近现有的FS-IGBT产品性能：同时具有良好的电压正温度系数,开关时间随温度、阳极电流、栅极电阻变化不大。工艺上ITC-IGBT采用传统的IGBT工艺,避免了薄片加工的技术难题,也不采用离子辐照,具有加工工艺简单的工艺和成本优势。本文在仿真方法上先进行了FS-IGBT的仿真并与相关现有产品对照,验证仿真的合理性：之后对比FS-IGBT和ITC-IGBT的性能,论证了ITC-IGBT的优良性能。内透明集电极IGBT的提出,在解决IGBT性能和制造工艺矛盾方面独辟蹊径。