氧化锌（ZnO）是一种II-VI族直接宽带隙半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV，具有60meV的激子束缚能，在照明、信息存储、显示等领域具有很大的应用潜力。本文采用MOCVD技术，分别进行ZnO薄膜的n型掺杂和p型掺杂，研究分析掺杂薄膜的结晶质量及电学特性的变化规律。该论文首先利用MOCVD技术在i型SiC衬底上生长非掺杂ZnO薄膜，采用多种测试手段对制备ZnO薄膜进行表征，研究生长温度和缓冲层条件对薄膜结晶质量、表面形貌以及光学特性的影响，获得ZnO薄膜的最优生长条件。随后我们对ZnO薄膜进行了n型Ga掺杂，改变Ga源流量制备出不同掺Ga浓度的ZnO薄膜，通过霍尔测试表征电学特性得到了ZnO:Ga薄膜的n型导电线性可控区间，并对ZnO:Ga薄膜的结晶质量和表面形貌进行了分析，得到的n型ZnO薄膜的载流子浓度为1×10¹9cm^-3量级。最后对ZnO薄膜进行不同浓度P掺杂，并对其结晶质量、电学特性、光学特性进行表征，得到了p型导电的ZnO:P薄膜，空穴载流子浓度可以达到1.66×10¹6cm^-3，并且具有良好的c轴择优生长取向和较好的结晶质量，光学特性表征结果也显示出其优异的紫外发光特性。