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II-VI半导体材料在光电领域具有重要的技术应用价值,CdSe和CdTe是典型的II-VI半导体。本文先后以Cd(NO3)2 / Na2SeO3 / H2O,Cd(NO3)2 / Na2SeO3 / EG - Glycerin,Cd(NO3)2 / Na2TeO3 / H2O为反应体系对CdSe和CdTe纳米晶的合成进行了研究,通过XRD、FESEM、TEM、HRTEM、EDS、XPS、FT-IR、UV-vis对产物进行了测试表征,研究了前驱体浓度、配比、反应温度、时间、操作程序等工艺过程对产物的影响,分析了不同体系中的化学反应过程及晶体生长机理。采用合成的CdSe和CdTe组装CdSe敏化TiO2试验电池,CdTe-CdS和CdTe-CdSe异质结构的试验光伏器,测试其光电性能。研究表明,Cd(NO3)2 / Na2SeO3 / H2O水相反应体系合成的CdSe粒子有轻微团聚,随着体系中Cd/Se比例的增加和反应时间延长,产物趋向于形成一维粒子,并逐渐聚集成树枝状。在Cd(NO3)2 / Na2SeO3 / EG - Glycerin反应体系中,较高的回流反应温度可以大幅提高晶体成核和生长的速率,采用一定的加注程序,将前驱体溶液注入EG-Glycerin热溶剂中,可以得到平均粒径约为6nm,窄粒径分布的纤锌矿CdSe纳米晶,胶体晶在波长480nm左右具有良好的光吸收性能,并伴随有发光现象;产物的XPS分析表明,反应过程中Se元素经历了还原和歧化两个阶段;FT-IR表明,乙二醇和丙三醇分子对CdSe粒子都具有配位作用,有利于纳米晶的分散和胶体的稳定。以L-半胱氨酸为稳定剂的Cd(NO3)2 / Na2TeO3 / H2O体系可以制备出纳米粒子、纳米棒和纳米线多种形貌的闪锌矿CdTe晶体。该体系中,L-半胱氨酸有助于晶体的一维生长和在水溶液中的分散,前驱体浓度主要影响产物在一维方向上的长度,Cd/Te比同时影响产物的长度和直径。HRTEM分析表明,CdTe一维结构的晶体生长过程初期主要是晶粒的取向连接,后期则为奥斯瓦尔德熟化。将所合成的CdSe胶体晶溶液和CdTe水溶胶纯化,通过浸泡TiO2多孔电极,试制CdSe纳米晶敏化的TiO2试验光伏器,CdTe-CdS和CdTe-CdSe异质结构的试验光伏器,分析其载流子传输特性,测试其光伏性能,得到CdTe-CdSe异质结构的开路电压和短路电流分别达到了745.01mV和11.78μA,最高的填充因子是54.75%。