本文中设计的C波段低噪声放大器是在国内先进的薄膜混合集成电路制作工艺基础上,采用光洁度高,导热率好,机械度强的氧化铝精细陶瓷基片,利用西科公司共晶微组装工艺和先进的粘接技术研制而成的。本课题采用宽带平衡式电路,选用日本富士通公司低噪声高电子迁移率的管芯FHX45X,利用小信号模型S参量法,自行设计了3dB耦合电桥,独立进行电路的输入输出匹配,使放大器工作在低噪声高增益区;并通过Agilent的ADS仿真软件,得到原理仿真结果;利用AutoCAD软件进行电路板的布局工作;采用带脊载体,对电路实行输入模块和输出模块分开设计电路图的方法,便于组装并保证共晶工艺流程的顺利进行。设计出的放大单片和级联单片后的放大器是在HP系列的测试仪器上完成的。主要利用的仪器有:HP8757D标网,以及HP E8247C信号源、8259L频谱仪和8970B噪声仪。本课题设计的4GHz—8GHz低噪声放大器主要的测试条件为外加12V直流电源,通过自行装在放大器内部的稳压模块转换到2V,电流为190mA;得到的测试指标如下:噪声系数最大为2.18dB;满足要求小于2.2dB的指标;增益最高为38.75dB,最小为34.65dB;满足指标要求的增益为32dB~39dB;增益平坦度为±2.05dB;基本满足平坦度小于等于4dB的指标要求;输入输出驻波比小于1.86;满足小于2的指标要求;输出1dB压缩点功率最小为10.8dBm。满足指标要大于10dBm的要求。本课题的设计尽管存在某些缺点,但是,基本上仍可以说是完成了事先的研制任务。本文涉及的是西科公司的某预研项目,此项目是由本人独立承担并研制完成的。