论文介绍了超级电容器的特点、应用和电极材料的最新研究进展，并对镍基赝电容材料三维生长的研究现状进行了全面综述。论文以TiO2纳米管阵列为基底，制备出了三维生长的氧化镍多孔薄膜电极、氧化镍钴复合物纳米线薄膜电极，并利用 X射线衍射仪（XRD），场发射扫描电镜（SEM），透射电镜（TEM），X射线光电子能谱（XPS）及电化学工作站（CHI660C）等仪器分析其形貌及超级电容性能。论文的主要内容如下：　　(1)论文中实现了氧化镍纳米材料在异相基底上的三维生长，利用基底辅助水热反应法，在TiO2纳米管阵列基底上成功制备出三维生长的氧化镍多孔薄膜电极，超级电容性能测试结果显示：该氧化镍三维多孔薄膜电极在充放电电流密度为1mA/cm2，2mA/cm2，5mA/cm2时，质量比容量分别为：924.4F/g、894.4F/g、860.1F/g，并在5mA/cm2的充放电电流密度下循环1000圈后，容量保持了92.9％。　　(2)论文中实现了双金属氧化物在异相基底上的三维生长，利用基底辅助水热反应法，在TiO2纳米管阵列基底上成功制备出氧化镍钴复合物纳米线三维薄膜电极，超级电容器性能测试结果显示：该氧化镍钴纳米线三维薄膜电极在充放电电流密度为1mA/cm2、2mA/cm2、5mA/cm2、10mA/cm2、20mA/cm2条件下，质量比容量分别为2353F/g、2282F/g、2235F/g、2201F/g、2173F/g，且该薄膜在充放电电流密度为8 mA/cm2下充放电3000圈之后，比容量保持了95.2%。论文中并探讨了氧化镍钴复合物中镍、钴物质的量比例对超级电容性能的影响，结果显示，当镍钴物质的量比例为1：1时，氧化镍钴复合纳米线薄膜显示出最佳的超级电容性能。　　(3)论文中利用经典成核理论分析了活性材料在异相界面三维生长的机理，异相基底表面形貌、表面基团、异相基底温度以及体系温度均是活性材料选择性异相成核并生长的关键因素，最后论文分析了氧化镍钴复合纳米线形成机理。