【摘 要】
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该文首先介绍了用电共沉积技术制备GaAs薄膜的方法,研究了沉积GaAs薄膜过程中的影响因素,如Ga和AsO浓度及浓度比、溶液PH值、电流密度、搅拌等,确定了最佳工艺条件Ga8g/L,AsO
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该文首先介绍了用电共沉积技术制备GaAs薄膜的方法,研究了沉积GaAs薄膜过程中的影响因素,如Ga<3+>和AsO<+>浓度及浓度比、溶液PH值、电流密度、搅拌等,确定了最佳工艺条件Ga<3+>8g/L,AsO<+>8g/L,PH 1-2,电流密度7mA/cm<2>,温度为室温.得到了原子比为Ga:As=0.93:1.07的GaAs薄膜,并对GaAs薄膜的性质进行了一定的研究,其中包括薄膜组成、形貌、透射率、导电类型、I-V特性等.
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