作为解决世界能源危机的一个可行的方法,太阳电池的开发成为世界各国广泛研究的前沿课题。近年来,光伏产业发展迅速,已出现多种形式的太阳电池,但实用化的太阳电池仍以晶硅太阳电池为主。太阳电池的研究与开发始终围绕着提高光电转换效率和降低成本两个关键问题展开,而现在,这两个问题还是没有得到全面的解决。本文围绕这两个问题展开对单晶硅电池的研究。单晶硅在制备过程中产生大量的较高电阻率硅片,极少量低阻硅片和超高阻硅片,这无形中增加了制造成本,即这些高阻硅片并不适应现今太阳电池的制备工艺,无法做出理想电池,所以在生产中这些硅片需要回炉重新制备。本论文针对高阻硅片制备太阳电池极其性能展开课题研究,主要探究方块电阻的大小对太阳电池的影响,通过控制工艺条件影响方阻阻值,在高阻电池制备实验中摸索条件,找到较好效率的高阻电池制备工艺条件,以期使高阻电池效率得到改善,并提高高阻硅片的利用率,从而降低单晶硅电池的生产成本。本文首先研究常规太阳电池的工艺条件,再探究不同电阻率硅片制备太阳电池的可行性,得出用电阻率为3-6?·cm这范围的硅片可以尝试不同工艺条件制备太阳电池,而其也是除常规硅片外占比最大的一部分;接着结合方阻与硅电阻率的关系,方阻与扩散参数及方阻与电性能参数的关系这几方面,来探究高电阻率太阳电池的工艺,主要研究工艺为制绒工艺,扩散工艺及烧结工艺。通过大量实验对比分析,得到扩散工艺参数主要降低通源量及扩散温度,小氮流量1800sccm降至1350sccm,扩散温度由850℃降至818℃,烧结工艺参数主要控制温度,由780℃降至760℃,制备出高阻太阳电池,通过测试各项电性参数及分析对比,发现方块电阻在75?至80?这一范围时电池性能较好。研究基本解决高阻电池的制备问题,但由于条件有限,还有很多不足之处,需要继续改进,希望可以对单晶硅电池效率的提高及成本的降低提供参考。