【摘 要】
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本论文着重测量了Bi4Ti3O12及其掺杂的Bi4-xLaxTi3O12(BLT)、Bi4-x/3Ti3-xNbxO12(BTN)和Bi3.25-x/3La0.75Ti3-xNbxO12(BLTN)陶瓷和薄膜的铁电性能，以此来研究掺杂对材料铁电性
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本论文着重测量了Bi4Ti3O12及其掺杂的Bi4-xLaxTi3O12(BLT)、Bi4-x/3Ti3-xNbxO12(BTN)和Bi3.25-x/3La0.75Ti3-xNbxO12(BLTN)陶瓷和薄膜的铁电性能，以此来研究掺杂对材料铁电性能的影响。具体工作可细分如下：
1.用固相反应方法制备了BTO以及A位掺杂的Bi4-xLaxTi3O12(BLT)(x=0，0.5，0.75，1)，B位掺杂的Bi4-x/3Ti3-xNbxO12(BTN)(x=0，0.009，0.015，0.018，0.021，0.03，0.06，0.085，0.3，0.3，0.6，1)和A、B位共掺的Bi325-x/3La0.75Ti3-xNbxO12的致密陶瓷和靶材。
2.Bi4-x/3Ti3-xNbxO12陶瓷为B位掺杂，在掺杂量x=0，0.015,0.03,0.06,0.085,0.1时剩余极化(2Pr)分别为11.9，13.7，17.9，18.4，29.5，29.4μC/cm2，说明掺Nb可以显著提高BTO的剩余极化，而且陶瓷的疲劳性较好。
3.用PLD方法制备了BLT,BTNandBi3.25-x/3La0.75Ti3-xNbxO12(BLTN)薄膜。这些薄膜是单相，没有择优取向。BTNx和BLTNx薄膜在x=0.018的时候得到最大的Pr。Bi3.244La0.75Ti2.982Nb0.018膜的Pr和Ec值分别为25μC/cm2和120kV/cm，经过109极化翻转后仍然无疲劳，因此可以用来制备FeRAM的良好材料。在A位用La3+替代Bi3+在增加Pr的同时，主要提高了抗疲劳性能，而B位用Nb5+掺杂或替代Ti4+能够提高剩余极化值。讨论了A、B位替代对材料性能的影响的机理。
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