该文主要是在双成分(或称双子系统)模型的理论框架内,对高温铜氧化物超导体正常态的温差电势率与霍尔系数的温度行为进行了研究.所谓双成分,即巡游载流子子系统与近局域载流子对子系统在高温铜氧化物超导体正常态中的共存.该文提出态密度矩形阱赝隙模型以量化赝隙对高温铜氧化物超导体正常态的霍尔系数温度行为的影响,在近局域对子系统占优势的相对较低温区内,以经过修正的Emin的双极化子(近局域载流子对)模型霍尔系数公式,对高温铜氧化物超导体正常态的霍尔系数的温度行为进行了分析,对多种典型高温铜氧化物超导体的数值计算结果与实验相符.我们通过分析赝隙对霍尔系数的温度行为的影响而得出结论:赝隙随着温度的降低而不断加深,这导致了霍尔系数在比超导转变温度T<,c>略高的温度出现正的极大值,并且该极大值与赝隙深度随温度变化的谷底附近相对应.我们还得到与实验相符的赝隙打开温度T<*>.我们采用相同的模型参数分析温差电势率与霍尔系数这两种正常态输运现象并且都得到与实验相符的结果,并在此基础上,参照Kulik理论对电阻率作了初步地讨论.该文还发现了欠掺杂及近最佳掺杂高温铜氧化物超导体双成分模型参数随温度变化的标度行为,并由此发现,欠掺杂及近最佳掺杂高温铜氧化物超导体正常态的温差电势率与霍尔系数的温度行为可以由T<,c>和T<*>确定.