随着半导体激光器泵浦固体激光器技术的应用和发展，要求半导体激光器泵浦源有更高功率的同时还要有更好的光束质量特性。对于大功率半导体泵浦源而言，宽条形半导体激光器是它的一个主要发展方向。但由于宽条形半导体激光器本身固有的特点，诸如空间烧孔、自聚焦、热透镜现象、模式竞争等对半导体激光器的工作存在严重影响，特别是不存在适当的侧向光场限制措施时，它的光束特性与理想高斯光束相差很大。反映在光束质量因子上便是M~2远大于1，这是许多应用所不能够接受的。在此根据载流子的空间扩散原理提出了两种侧向限制结构，通过优化影响光束质量的因素使得器件的光束质量因子明显降低、光束质量得到改善。 理论和实验表明：普通宽条形半导体激光器的光束特性可以通过载流子扩散方式加以改善。本论文主要围绕高光束质量的790nm单量子阱宽条形半导体激光器的设计、工艺制备及特性评价进行了深入研究，主要工作包括以下几个方面： 1、基于器件理论及工艺过程论述了设计器件的原理与半导体激光器的制作工艺。 2、研制了新型的高斯线形分布结构和横向菱形分布结构BA-SQW-LD。 3、同普通BA-SQW-LD进行特性比较，分析了影响BA-SQW-LD光束质量的因素。