无线通信的飞速发展推动了高速高频器件及高速高频模块市场的需求的迅猛增长，传统的无线通信市场中的高速高频器件或模块主要以GaAs为主。UHV/CVD(超高真空汽相外延)技术发展后，SiGe技术取得了突破性的进展，加上SiGe技术与先进的硅工艺技术相兼容，而且成本大幅度降低。在一定的频段内可以与GaAs相媲美的高速高频性能优势，因此在最近十几年内得到迅速发展。在未来的半导体技术发展中SiGe技术必定占据重要位置。　　 本文论述了SiGe技术的发展状况、主要的研究方向、SiGe技术的优越性、基本理论以及一些主要研究成果。研究了平面集成的SiGe技术的关键工艺，研制开发出了基于清华大学微电子学研究所工艺线一套可行的平面集成SiGe工艺，并研制出了低噪声放大器。　　 本文作者主要研究开发了以下几个方面的关键工艺：　　 1.Si技术中深/浅槽隔离技术在SiGe平面集成工艺的应用技术；　　 2.研究了不同基区掺杂浓度对晶体管性能的影响，找到了适合所设计电路要求的基区掺杂浓度2E19；　　 3.研究了晶体管中主要的噪声类型以及产生噪声的物理机制，分析了在工艺设计中如何减小噪声；　　 4.分析了SiGe材料生长的工艺，得到了合适的生长温度535℃-550℃；研究了后续高温处理工艺包括高温退火的时间和温度对SiGe薄膜的影响，温度越高越容易产生驰豫；　　 5.运用本文所研究开发的工艺制作的低噪声放大器的参数基本符合设计的要求。S21(功率增益)在1GHz下达到21dB，输入输出驻波比都符合设计要求。