横向高压功率器件LDMOSFET有耐压高、增益大、动态范围宽、失真低和易于与低压电路工艺兼容等特点。随着半导体工艺技术的不断成熟，LDMOS越来越广泛地应用于功率集成电路及智能功率集成电路中。功率电路由于自身大电流、高电压的特点，其许多应用都要求工作在高温下。因此，对功率LDMOSFET的温度效应进行研究与建模有着重要的实际意义。本文讨论的LDMOS结构基于PDP选址驱动芯片，该结构实现了与低压电路工艺的兼容，并满足耐压高、电流大的实际需要。 针对LDMOSFET在功率集成电路中越来越广泛的应用，以及日益突出的温度问题，本文通过对功率LDMOSFET击穿电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数温度效应的深入探讨，建立功率LDMOSFET二维温度分布模型，最终提出了一个功率LDMOSFET带温度效应的器件模型。其中，温度分布模型分析了LDMOSFET工作在线性区与饱和区时温度的分布，器件各个部分自热引起的温度的升高以及LDMOS在不同宽度的高压脉冲作用下温度的变化。文中提出的带温度效应的器件模型，综合考虑了功率LDMOSFET电学参数的温度效应，器件内部的温度分布，以及电热耦合效应和封装的影响；解决了经典MOS器件模型与功率LDMOSFET实际测试不匹配的问题；解释了在实际测试中高功率密度的LDMOSFET在其饱和区发生的“负阻现象”的机理。 本文提出的功率LDMOSFET带温度效应的器件模型，主要针对PDP驱动芯片所使用的功率LDMOSFET。设计者通过该模型，在设计功率LDMOSFET时，可以提前预测其在不同工作方式下的热行为，设计出符合要求的器件。经过MEDICI和TSUPREM4软件模拟以及实际流片验证，该模型较好的反应器件的温度效应。