在低维纳米材料制备科学和技术研究方面的一个重要趋势是加强控制工程的研究,包括颗粒尺寸、形状、表面、微结构的控制。目前在一维纳米结构阵列中,研究最热的主要有三种:硅纳米线、碳纳米管和ZnO纳米线/纳米带。ZnO纳米线由于其独特的结构和光电等性质,成为当今一维纳米材料研究的热点之一。虽然ZnO纳米材料的研究已经取得了长足的发展,但在工艺简单、低成本、高产率、高结晶质量、及形貌可控制备上依然存在很大挑战。本论文研究工作以一维ZnO纳米线阵列为主要研究对象,另外研究了零维和二维纳米材料,围绕着材料的生长、结构形貌、液滴浸润性机理以及超疏水性等方面,开展了一系列工作,具体内容如下:在第一章中,对纳米材料的合成技术、基于自组装法合成一维纳米功能材料的研究进展、一维纳米材料的性质和应用、以及研究意义做了概述。在论文第二章中,首先总结了ZnO材料的基本性质,然后开始介绍本论文的主要工作:ZnO纳米线阵列应用于器件的一个前提是必须具备很好的垂直性和分散性,人们在以往的研究中采用了模板法、化学气相沉积法、金属气相外延生长法等多种方法来实现对纳米线阵列的调控。与其它制备方法相比,水热法具有反应条件温和、易操作、成本较低、产物分散性好、结晶质量高、团聚少及易于推广等优点。本章利用磁控溅射在玻璃或Si衬底上溅射一层ZnO籽晶层的基础上,再利用水浴法/水热法生长了垂直性、分散性和重复性具佳的ZnO纳米线阵列。与水浴法生长的ZnO纳米线的长径比为20:1相比;水热法生长的ZnO纳米线的长径比达到104:1,ZnO纳米线的柔韧性非常好,即使在纳米线的上端发生弯曲也不会断裂。本章还阐述了ZnO纳米线的生长过程:ZnO极性面表面能高,要经过表面重整以降低表面能,所以极性面（0001面）的生长速度要大于其他晶面;同时纳米线某个面生长的快慢与其生长速度也有关系,不同面的生长速度也不一样:V[0001] > V[01（1|-）0] > V[0001（1|-）],综合上面两个因素考虑ZnO纳米线沿着（0001）方向快速生长。此外研究了温度和HF对ZnO形貌的影响。随着温度的升高,水的电离度会增加,水中增加的H⁺离子会抑制ZnO沿c轴择优取向生长,从而造成ZnO由低温（<100℃）的纳米线状结构向高温（>150℃）片状结构的转变。当反应溶液中加入HF时,H⁺对ZnO的影响主要有两点:一方面随着H⁺离子浓度的增加,ZnO结构的长径比不断减小,由柱状结构向磷片组成的球状结构转变,另一方面H⁺使ZnO结构逐渐变薄,由球状变为了花瓣状;F^-使ZnO表面出现粗糙结构,最终使微结构由鳞片状变成纤维状。在论文第三章中,在粗糙结构表面湿润特性研究的基础上,建立了一个描述液滴在实际微纳米复合结构表面浸润特性的新的半浸润模型。首先介绍与接触角相关的一些定义和基本理论,对静态接触角和接触角滞后现象进行分析。然后分析描述液滴在固体表面浸润状态的传统理论模Wenzel模型和Cassie模型的联系和区别,并在此基础上提出一个新的解释液滴在不同形貌固体表面浸润性质的模型—半浸润模型,并用此模型计算了特殊表面的接触角,得出了和实验相一致的结论。最后利用半浸润模型给出了接触角滞后和滚动角的关系。在论文第四章中,实验研究了ZnO纳米线阵列、网状乳突节点阵列及其它微纳仿生自组装复合结构表面的浸润特性。利用溶胶凝胶法和水浴法在玻璃衬底上分别制备了疏水性SiO₂薄膜和超疏水性ZnO纳米线阵列薄膜,并在理论上对实验结果进行了验证。利用简单的水热自组装的方法制备了网状乳突结点状ZnO薄膜,该薄膜经HTMS修饰以后具有稳定的超疏水性。建立了一个“张力接触模型”来解释水的表面张力和快速蒸发是网状乳突结构形成的原因。这种网状结构是一种类荷叶的微纳米复合结构,水滴在该结构表面的接触角高达170o,滚动角小于2o。同时,利用Cassie模型从理论上验证了该结果。此外,研究了花状ZnO结构的制备及其超疏水性。最后,在没有贵金属（Au,Ag等）辅助的情况下,利用简单化学刻蚀的方法,在Si（001）面上刻蚀出金字塔状结构,研究了金字塔表面的疏水性。在论文第五章中,主要是通过用禁带宽度较窄的荧光量子点CdSe与宽禁带ZnO纳米线复合,实现不同能带之间的调制,以达到对太阳光宽波段的吸收,为下一步光电器件的研究奠定基础。研究了荧光量子点CdSe纳米颗粒的制备及其光学性质（吸收、光致发光）。通过改变反应时间,实现了CdSe量子点尺寸和发光波长的调控。为了提高光生载流子的传输效率,通过配位键的转换,利用短碳链分子巯基丙酸（MPA）代替量子点表面的长碳链分子三正辛基氧化磷（TOPO）。此外,利用低温水热法（50℃）制备出了高结晶质量的ZnO纳米线阵列。最后,成功的将CdSe量子点链接到ZnO纳米线表面。在论文最后一章,对全文进行了总结及对未来的展望。