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该文从理论和实验两个方面研究了半导体中多光子吸收过程.在理论上,作者从非线性光学中辐射跃迁速率的全量子理论表达式出发,推导了半导体中多光子吸收跃迁速率的一般表达式.并将此结果应用于直接能隙半导体的三光子吸收过程.在四能带和二能带两种理论模型下,对抛物线和非抛物线型能带,分别计算了本征GaAs在λ=2.06μm下的三光子吸收系数,并对各种模型下的计算结果作了比较.在实验上,作者分别采用NLP和NLT测量技术,在2.06μm波长的YLF激光脉冲激发下,研究了GaAs半导体的三光子吸收过程,测得了三光子吸收系数.理论与实验值比较表明,两者符合较好.此外,作者还观察了几种光电阴极的多光子光电发射效应并测量了其发射系数.