【摘 要】
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纳米硅薄膜（nc-Si：H）是一个由纳米尺度的Si晶粒组成的薄膜。它的结构和物性既与其它硅材料有密切的联系，又显示出一系列低维半导体的特性。本文着重研究了nc-Si：H薄膜的制造、表征
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纳米硅薄膜（nc-Si：H）是一个由纳米尺度的Si晶粒组成的薄膜。它的结构和物性既与其它硅材料有密切的联系，又显示出一系列低维半导体的特性。本文着重研究了nc-Si：H薄膜的制造、表征及其所具有的一系列特性。在本文中详细的论述了PECVD法制作纳米硅薄膜的原理和过程，深刻剖析了PECVD仪器各部分的工作原理并进行了图示。实验选用的气体为纯SiH4气体，采用PECVD方法，在处理后的硅片上制备了纳米硅薄膜，并对制备的薄膜进行了退火处理。优化后的制备纳米硅薄膜的工艺条件：衬底温度为600℃；气体流量为1.9sccm；射频13.56MHz；电源功率为50W；背景真空度为5.0×10-4Pa；沉积气压100Pa；极板间距为20mm；沉积时间30min；退火温度700℃。本文详细的描述了薄膜的成膜机理，并对制造的薄膜进行了表征。本文还对纳米硅薄膜所具有的一系列特性进行了研究。
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