自2004年石墨烯的问世,石墨烯及许多其它维材料由于其特殊的性能也引起了科学研究的广泛关注,越来越多的研究报道了其在电子器件上的应用可以明显地提升电子器件的性能。六方氮化硼(h-BN)作为新兴的二维层状绝缘材料,具有较大的带隙宽度(约为5.9 eV),绝缘常数为3,另外h-BN具有非常高的机械强度和优异的化学稳定性,并且在电场作用下时展现出比过渡族金属氧化物(TMO)更好的稳定性,使其有望成为电子器件中的最佳的介电材料之一。尽管目前人们已经在场效应晶体管和忆阻器领域开始使用h-BN来提高器件的性能,但是这些研究是远远不够的,需要进一步对h-BN进行更深入的研究。由于能带结构对于半导体和绝缘体在光电化学和微电子方面的应用起着非常重要的作用。因此,在本文的第一个工作,分别通过紫外可见光吸收光谱(UV-vis)和紫外光电子能谱(UPS)测试了 h-BN薄膜的光学带隙大小和功函数以及价带与费米能级之间的能量差,并且对价带和导带相对于真空能级的位置作了分析,为今后h-BN薄膜在微电子领域和光电化学领域提供了更多的应用。另外,在本文的第二个工作中,我们通过光刻与电子束蒸镀技术制备出h-BN电子器件,对h-BN电子器件的电学性能在不同温度下展开了研究,通过实验结果和模拟分析证明了h-BN电学性能显著的温度可靠性,即相同电压下的电流大小随着温度的上升而上升,另外这种明显的温度可靠性主要由h-BN带隙的温度可靠性所影响,并通过模拟计算出温度带隙系数大小为-6 meV/.K,为h-BN电子器件在温度传感器的应用提供了可能。另一方面,随着信息技术的快速发展,人们对信息存储设备的要求越来越高。当前的存储器已经不能满足人们对高容量、高速度和低功耗存储的要求。因此,开发性能优异的存储器已经成为当下迫在眉睫急需解决的问题。为了克服当前非易性存储器存在的问题,阻变忆阻器由于其优异的性能得到了广泛的关注,其中阻变忆阻器最突出的优点就是有望成为高密度存储器。很多研究结果已经表明,使用二维材料作为阻变介质的阻变忆阻器,展现了优异的器件性能。在本文第三个工作中,我们使用h-BN作为阻变介质,制备了交叉结构的阻变器件并获得了很小的器件尺寸(5 μm×5μm)。本文中h-BN阻变器件展现了优异的阻变性能,同时在相同的器件上,不同阻变曲线之间具有非常小的差异性。另外,在所制备的样品上,几乎所有的器件都展现了良好的阻变性能,并且不同器件之间的差异性也特别地小。除此之外,我们通过使用Ag作为顶电极,观察到了非常稳定的阈值阻变现象,使h-BN阻变器件可能应用为选择器,为之后三维交叉阵列结构忆阻器存在的漏电流问题的解决提供了很大的可能性。