本文对毫米波有源相控阵雷达T/R组件中有重要应用前景的薄膜介质移相器展开研究。在对现有的几种薄膜介质移相器结构进行分析的基础上，提出了一种新型的分布式电容负载型薄膜介质移相器结构，它由高阻传输线和周期性负载的钛酸锶钡薄膜电容构成。采用高频电磁仿真软件HP-ADS对设计的移相器进行模拟，分别考察了移相器各组成部分对插入损耗和移相度的影响，并提出了改进移相器性能的措施。对移相器制作工艺进行研究并摸索出了移相器的制作工艺流程，最后采用集成电路工艺制作器件。研究结果如下：（1） 采用脉冲激光沉积法制备的BST薄膜结晶良好，晶粒尺寸在100左右；表面粗糙度约为10；室温下，当直流电场为3v/时介电系数变化率约为30%，介质损耗约为20%。（2） 采用分布式电容负载型结构设计出毫米波薄膜介质移相器，其中的高阻传输线为有限宽度地共面波导。采用三线微带耦合节实现共面波导线到微带线的转换，由于不用通孔连接地电极，隔直也同时实现。（3） 电极损耗是移相器插入损耗的主要来源。通过使用高电导率的电极材料、增加电极的厚度、提高BST薄膜电容的Q值可以实现器件插损的降低；增大薄膜的介电系数变化率和传输线长度可以增加移相度。（4） 移相器制作采用集成电路工艺。铂比金更适合作为移相器中BST薄膜电容的下电极，而上电极和传输线导体材料则选用金。