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电子器件的发展逐渐趋向柔性化,使得对柔性透明导电薄膜的需求日益迫切。ZnO作为一种新型宽禁带半导体,具有可见光透明、室温沉积、在氢等离子体中稳定等优点,成为制备透明导电膜的理想材料。薄膜柔性化通过使用有机衬底来实现,ZnO是无机材料,与有机衬底之间的性质差异较大,易导致两者之间的附着性不好,故高附着性能ZnO膜制备是亟待解决的科学难题。本文中,在室温条件下采用射频磁控溅射法在柔性衬底上制备了 Ga掺杂ZnO(GZO)透明导电薄膜,并重点研究了其附着性能。通过各种测试手段表征ZnO薄膜与聚合物衬底之间