【摘 要】
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该文主要研究Si基膜片型微结构气敏传感器单元的优化、SnO及SnO基敏感薄膜电学与气敏特性以及敏感薄膜制备过程中的工艺兼容性问题.为设计功耗低、工作区温度分布比较均匀的
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该文主要研究Si基膜片型微结构气敏传感器单元的优化、SnO<,2>及SnO<,2>基敏感薄膜电学与气敏特性以及敏感薄膜制备过程中的工艺兼容性问题.为设计功耗低、工作区温度分布比较均匀的微结构单元,分析单元的热学行为,用有限元方法(FEM)模拟计算不同电极结构的器件功耗及工作区温度分布.实验测得当工作区湿度为300℃时经优化的器件加热功率只有~75mW;并且由于膜片热质量很小,工作区温度可以于毫量级时间内室温和450℃间调制.
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