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介电材料在半导体器件中有两个最重要的应用。一是作为场效应晶体管器件的栅介质层;二是作为动态随机存储器(DRAM)电容的介质材料。CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)材料自其介电性质被发现以来,由于其介电常数非常高,对温度变化不敏感的特点,受到人们的广泛关注,无论是靶材还是薄膜材料都具有超高的介电常数,且在较大的温度变化范围内介电常数都保持稳定。目前的研究工作主要集中在CCTO高介电常数的成因,是“本质”的还是“非本质”的。本文使用射频磁控溅射生长薄膜方法在Pt/Ti/SiO2/S