钙钛矿具有十分优异的光电性能,如发光色纯度高、发光颜色可调、荧光量子产率高等,这些优点推动了钙钛矿在电致发光器件上的应用发展,以钙钛矿为发光层的钙钛矿发光二极管（Perovskite Light-emitting diode,PeLED）经过这几年的研究其器件性能获得了极大的提升。但目前普遍研究的三维钙钛矿激子结合能小,载流子迁移率高,这一特点不利于钙钛矿中载流子辐射复合发光,阻碍了PeLED器件效率的进一步提升。在这种情况下,准二维钙钛矿走入人们的视野,其具有的自组装量子阱结构能够限制载流子活动,提高激子结合能,降低载流子迁移率。但准二维钙钛矿中长链有机间隔阳离子部分所夹的钙钛矿层数通常不是单一的,这会造成发光效率降低。此外,准二维钙钛矿晶粒尺寸减小,会导致其表面缺陷增多,增加非辐射复合几率。同时,钙钛矿中所含有的铅元素会对人体和生态环境造成伤害,降低或消除钙钛矿中的铅含量对PeLED器件商业化应用十分重要。因此,本文内容主要是基于准二维钙钛矿PEA2Csn-1PbnBr3n+1薄膜以及相应PeLED器件性能研究,着手于提升薄膜表面形貌,提高PeLED性能,以及减少铅含量,具体内容如下:首先,根据PEA2Csn-1PbnBr3n+1化学表达式调节前驱体材料Pb Br2、Cs Br和PEABr之间的摩尔比,制备不同n值的PEA2Csn-1PbnBr3n+1薄膜,同时制备了三维钙钛矿Cs Pb Br3薄膜。准二维钙钛矿薄膜形貌优于三维钙钛矿,且n值越小表面形貌越好。在n=3的情况下,即发光层为PEA2Cs2Pb3Br10制备的PeLED器件获得最佳器件性能,启亮电压为4 V,最大亮度为917 cd/m~2,最大外量子效率（External Quantum Efficiency,EQE）为1.59%。为后续实验研究提供基础。接着,在确定以PEA2Cs2Pb3Br10为发光层的PeLED器件性能最佳的基础上,将少量小分子有机物1,3-双9H-咔唑-9-基苯（m CP）加入PEA2Cs2Pb3Br10中,m CP能够钝化PEA2Cs2Pb3Br10的表面缺陷,使准二维钙钛矿中二维结构和层数为二的准二维结构减少或消失,提高薄膜质量。掺杂m CP后,最大亮度由238 cd/m~2提升至596 cd/m~2,最大电流效率由4.25 cd/A提升至7.99 cd/A,最大EQE由1.72%提升至3.34%。其次,将少量小分子有机物双[4-（9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶）苯基]硫砜（DMAC-DPS）加入Cd Se/Zn S量子点中,DMAC-DPS能够提高量子点薄膜表面形貌,制备的QLED器件最大电流效率由0.86 cd/A提升至3.25 cd/A,最大EQE由0.64%提升至2.27%。最后,本文研究了金属离子掺杂对准二维钙钛矿的影响,将Mg2+加入PEA2Cs2Pb3Br10中,Mg2+能够部分取代PEA2Cs2Pb3Br10中的Pb2+,并且使其晶体结构发生变化,同时准二维钙钛矿中层数较小的部分相对增多。制备的PeLED器件EL峰发生明显蓝移,半峰宽变宽。