【摘 要】
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超快激光技术和超短电子束团产生技术的迅速发展,极大地促进了相干太赫兹辐射源的产生机理、检测技术和应用技术研究的蓬勃发展.作为一个具有重大应用前景的新学科领域,太赫
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超快激光技术和超短电子束团产生技术的迅速发展,极大地促进了相干太赫兹辐射源的产生机理、检测技术和应用技术研究的蓬勃发展.作为一个具有重大应用前景的新学科领域,太赫兹辐射源所涵盖的研究领域是当今世界科学研究的前沿领域之一,竞争十分激烈.本论文率先在国内系统地研究了基于SINAP飞秒装置和SDUV-FEL装置提供的超短电子束团产生的强太赫兹相干渡越辐射(CTR)、强太赫兹相干衍射辐射(CDR)的特性,对促进高亮度宽频带超短脉冲太赫兹辐射源的发展,具有重要的意义.随着加速器技术的发展,电子束的束团长度越来越短,超短电子束团长度的测量是当今加速器领域的技术难题之一.本论文,首先利用800K黑体辐射源作为模拟电子束源进行了自相关干涉条纹、相干辐射能谱和辐射总功率测量的离线模拟实验研究,得到了很好的结果.然后基于SINAP飞秒装置,本论文研制了太赫兹CTR/CDR自相关测量系统,并对实验结果进行了定标、分析和数据处理,同时对电子束团形状的重现进行了数值计算和详细分析,为SINAP即将开展太赫兹CTR/CDR自相关在线实验研究提供了重要的理论依据和实验基础.
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