【摘 要】
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氧化锌（Zn O）为宽禁带（3.37 e V）半导体材料,可以通过掺杂实现半导体到导体的电性变化,可用于制备透明导电薄膜和半导体薄膜。更为重要的是Zn O具有高达60me V的激子束缚能,理论
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氧化锌（Zn O）为宽禁带（3.37 e V）半导体材料,可以通过掺杂实现半导体到导体的电性变化,可用于制备透明导电薄膜和半导体薄膜。更为重要的是Zn O具有高达60me V的激子束缚能,理论上可以在室温（26 me V）乃至更高温度下实现紫外激子发光。但由于宽禁带半导体材料掺杂的非对称性现象,使得Zn O材料的p型制备十分困难,限制了其在光电设备上应用。虽然已经有很多实验组报道制备出较好性能的p-Zn O,但离实际应用的要求还是相差甚远,很难做到高空穴浓度、高载流子迁移率、性能稳定又重复性良好的样品,主要原因是:（1）掺杂浓度低,受主缺陷浓度不高,并且受主能级较深,不易解离活化成为有效的受主;（2）Zn O中本征缺陷对掺杂的补偿作用明显,掺杂后还存在自补偿现象;（3）p-type掺杂的稳定性和重复性不好。针对掺杂浓度低,本论文采用离子源辅助高功率脉冲磁控溅射（Hi PIMS）技术,以氮气为氮源,进行N掺p-type氧化锌制备与性能的实验研究。论文获得如下结论:（1）利用Hi PIMS的高能量密度,提高N+与Zn+的反应活性,有利于提高N的掺杂浓度;（2）采用感应耦合等离子体源（ICP）辅助,增加掺杂N2解离度,获得高比例N+/N2+比,提供高浓度的活性N原子等离子体;（3）ICP辅助Hi PIMS可以制备p-ZnO薄膜。
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