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在当今信息社会中，磁存储获得越来越广泛的应用。而且随着磁存储密度的不断提高，对于磁记录薄膜介质的结构和性能提出了越来越高的要求。由于室温下磁控溅射法制备的SmCo薄膜具有高的矫顽力、很好的单轴磁晶各向异性，使得它成为一种很具有开发潜力的高密度磁记录介质。 本文在总结了国内外有关SmCo系磁性薄膜材料研究的基础上，采用磁控溅射的方法制备了非晶态的SmCo磁性薄膜，研究了制膜工艺对SmCo薄膜结构、矫顽力的影响。首先用磁控共溅射方法制备了非晶态的SmCo/Cr磁性薄膜，并通