硅基发光材料对于光电集成的重要性使其受到广泛研究。实现高效硅基发光,还能打开成本低廉,器件制备工艺成熟的硅材料在其他方面的广泛应用前景。本文在此基础上,采用荧光分析方法对掺稀土离子Eu3+和Tb3+的氧化硅薄膜发光特性作了一系列的研究,对改善样品发光效果的途径做了探索和分析。　　 本研究采用溶胶-凝胶法在硅片上制备了掺杂稀土离子Eu3+和Tb3+的SiO2薄膜。对样品使用荧光光谱进行了研究,在245nm波长光的激发下,能够观察到Tb3+的4f态能级5D0到7FJ(J=6,5,4,3)的跃迁发光峰；Eu3+样品在320nm光激发下,可以观察到4f态能级5D0→7F1和5D0→7F2两个跃迁峰,文献中报道的5D0→7F0(577nm)跃迁一般较弱,在我们的样品中并不总能观察到。分别制备了含高浓度稀土离子Eu3+或Tb3+的SiO2:RE(:Al/Si)体系,并对样品的退火条件作了控制,以期望找出对样品发光性质的影响。高浓度掺杂的稀土离子有望增强体系的发光强度,不过这首先带来的是较强的浓度猝灭效应。但在掺入Si或者Al3+离子后发光均能得到明显改善,二者同时掺入后的样品发光强度较只掺Al3+的样品强了约一倍,这就实现了高浓度掺杂稀土离子的较强发光,我们对此作了一些探讨。此外,Ar气氛退火环境使得掺Tb3+样品的发光强度有了显著提升,但是这在掺Eu3+样品中却没能观察到,具体因为尚不明确。我们还对Ar气氛下不同温度退火样品发光作了研究,900℃退火的Eu3+离子样品发光最好,Tb3+为800℃最好,文中也给出了相应的讨论。富Si掺杂浓度的变化,给样品发光强度带来的影响没有明确的规律,具体因为还有待进一步实验分析。