【摘 要】
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本文主要研究利用半导体器件的非线性开关特性来产生的高速电脉冲,并用电子电路的形式实现。研究利用雪崩晶体管、阶跃恢复二极管、隧道二极管等几种高速器件产生高速电脉冲
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本文主要研究利用半导体器件的非线性开关特性来产生的高速电脉冲,并用电子电路的形式实现。研究利用雪崩晶体管、阶跃恢复二极管、隧道二极管等几种高速器件产生高速电脉冲的理论方法,对其进行综合分析。根据器件各自的特点以及对窄脉冲参数的要求,本文选取雪崩晶体管进行电路实验。首先,利用雪崩晶体管的雪崩效应理论设计一种上升时间短、脉宽窄、具有周期性、频率可调的脉冲产生电路,对其进行模拟仿真,该电路产生了脉冲底宽为890ps、幅度为-11.2V、上升时间为510ps的周期性负脉冲信号;搭建实验电路进行测试,适当变换电路参数得到的电脉冲脉冲宽度为4.263ns、脉冲幅度为-9.23V、下降时间为2.701ns、上升时间为3.703ns。其次,提出了一种可以减小脉冲宽度和上升时间,并增大输出脉冲幅度的马克斯电路。在论文的最后,分析了脉冲测量的主要参数,研究几种典型的高速电脉冲的测量方法,指明测量中需注意的问题。
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