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本论文采用水热法制备了CdSe纳米棒，并对CdSe纳米棒进行了一系列表征，主要利用光电流作用谱、循环伏安、瞬态光电流等光电化学方法对CdSe纳米棒及不同晶型CdSe纳米棒、聚3-甲基噻吩和3-氯噻吩分别修饰CdSe纳米棒的光电化学性质进行了研究。研究的主要结果如下：1)用水热法制备出CdSe纳米棒，棒直径在100nm左右，棒长约为300 nm；XRD图谱表明其具有闪锌矿和纤维锌矿的结构，当反应温度升高到240℃时纳米棒已由闪锌矿转变为纤维锌矿，差热-热重和在不同煅烧温度下的SEM图分析表明为了保持纳米棒结构不发生变化煅烧温度不应超过400℃。2)将CdSe纳米棒于常温制备成纳米棒结构电极并进行了光电化学研究，结果表明，水洗和醇洗所得纳米棒光电转换效率高于单独水洗所得纳米棒光电转换效率。水洗所得CdSe纳米棒在电极电位为0.6V入射光波长为380nm时，入射光子．电流转换效率(IPCE)值最大，达28.5％；水洗、醇洗所得CdSe纳米棒在电极电位为0.6V入射光波长为410nm时，IPCE值最大，达48.3％。对所制得纳米棒膜进行高温煅烧进一步测定光电转换效率，结果表明CdSe纳米棒膜电极在可见光区最大的IPCE值出现在煅烧温度为400℃时。反应温度为240℃下CdSe产物所制电极在可见光区最大的IPCE值达到74％，反应温度240℃光电流最大原因是当温度升高时CdSe纳米棒晶型发生转变，纤维锌矿晶型可能有利于光电转换。瞬态光电流表明CdSe纳米棒具有n型半导体特性。3)用水热法制备出不同晶型CdSe纳米棒。XRD图谱表明其具有闪锌矿和纤维锌矿的结构；当温度升高到240℃时纳米棒已由闪锌矿转变为纤维锌矿。TEM结果显示棒直径在100nm左右，棒长约为300nm；将CdSe纳米棒用滚动涂膜法涂在导电玻璃的导电面上，在400℃下高温煅烧自然冷却后于常温下制备成CdSe纳米棒薄膜电极并对CdSe纳米棒薄膜电极进行了光电化学研究；CdSe纳米棒薄膜电极在电极电势为0.6V，入射光波长在400nm附近时有最大IPCE值，达到80％。4)研究了聚3-甲基噻吩[Poly(3-Methylthiophene)(PMeT)]修饰CdSe纳米棒膜电极的光电性能，当电极电势为—0.7V时聚3-甲基噻吩(PMeT)修饰CdSe纳米棒膜电极有最大光电流。CdSe纳米棒／PMeT中存在p-n异质结，p-n异质结存在使得CdSe纳米棒／PMeT薄膜电极在长波区光电转换效率普遍高于CdSe纳米棒薄膜电极光电转换效率。5)研究了聚3-氯噻吩[Poly(3-Chlorothiophene)(P3CT)]修饰CdSe纳米棒膜电极的光电性能，当外加电极电势为—0.6V时，P3CT修饰CdSe纳米棒有最大光电流。并且CdSe／P3CT复合膜电极最高光电转换效率(IPCE)为39.76％低于CdSe纳米棒膜电极56.84％的最高IPCE。CdSe／P3CT复合膜电极中存在p-n异质结，p-n异质结存在使得CdSe／P3CT复合膜电极在长波区(＞410nm)IPCE整体高于CdSe纳米棒薄膜电极IPCE。