含有机配体的多元金属硒/碲化物的合成,结构及性能研究

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本课题为含有机配体的多元金属硫族化合物的固体合成,结构表征及性能研究。多元金属硫族化合物容易结晶成低维结构,从而表现出特殊的物理性质和化学性质,具有广阔的应用前景,是固体化学一个十分活跃的研究领域。本论文对含有机配体的多元金属硫族化合物的研究成果进行了系统的总结。对这类化合物的合成方法,结构规律和性能应用进行了分析,研究和归纳。低温溶剂热法合成的多元金属硫族化合物常具有低维结构(即0-D,1-D,2-D),热力学上多处于介稳态。本论文采用低温溶剂热法,通过分子设计,合成化学式为AxMyLnM’y’Qz 的新型含有机配体的多元金属硫族化合物,其中M = 过渡金属; M’ = 主族金属; Q = S, Se, Te; L = 多齿有机配体。通过大量合成,得到12个新晶体,其中对 (enH)2(enH2)Sn2Se6 和 [Mn(en)3]2·Sn2Se4Te2进行单晶结构的测定和光学能隙(Eg)的测定。(enH)2(enH2)Sn2Se6属于三斜晶系,空间群为,晶胞常数a = 0.8659(2) nm, b = 1.1055(2) nm, c = 0.66360(10) nm, α = 104.44(3)°,β = 110.93(3)°,γ = 79.74(3)°,V = 0.57178(19) nm3, Z = 1;该晶体是由分立的(Sn2Se6)4- ,(enH2)2+ 和(enH)+ 离子堆积而成的。晶胞含一个(Sn2Se6)4-离子,一个(enH2)2+ 和二个(enH)+ 离子。[Mn(en)3]2·Sn2Se4Te2晶体属于三斜晶系,空间群为P ī,晶胞常数a = 9.1428(7) ?, b = 10.2781(7) ?, c = 11.5745(8) ?, V = 943.82(12) ?3, Z = 1。该晶体是由分立的(Sn2Se4Te2)4- 和[Mn(en)3]2+离子靠静电力堆积而成。UV-VIS-NIR 漫反射光谱研究得到(enH)2(enH2)Sn2Se6的Eg = 1.76 eV, [Mn(en)3]2·Sn2Se4Te2的Eg = 2.2 eV, 二者都是半导体。经热重-差热分析,这些晶体具有较高的热稳定性。
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