高可靠IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件在工业领域中有着极为广泛的应用。终端结构是IGBT器件不可缺少的部分,高可靠性终端设计向来是困恼IGBT设计者的一大难题。由于国内基础薄弱,经验不足,高可靠性终端的设计与制造仍然还处于摸索阶段,因而国产高可靠性IGBT产品还没有真正实现量产。国内市场份额全部被Infineon,ABB,Mitsubishi等外国厂商垄断。为了实现高可靠性IGBT的国产化,和国内某知名半导体代工厂合作,开发高可靠性1700V NPT-IGBT商业化产品。本文在高可靠性终端分析及设计这一方面做了大量工作。1、首先对功率器件的击穿原理做了详细分析,并根据高可靠性的要求,进行终端选型。完成初步设计,并流片实验。2、测试初次流片样品,并仿真分析,发现击穿点位置的不合理选取是导致器件软击穿的主要原因,击穿曲线蠕动是由于表面击穿导致的,可动离子的再分布是造成高温反偏失效的原因。3、针对失效原因,优化设计方案并再次流片。测试结果验证了优化仿真的正确性,器件耐压为2075V,击穿曲线陡直,无软击穿现象,无蠕动,通过高温反偏考核及动态开关测试。